规格书 |
FDMS8558S |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 25V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 33A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 1.5 mOhm @ 33A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 1mA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 81nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5118pF @ 13V |
功率 - 最大 | 2.5W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad |
供应商器件封装 | 8-PQFN (5x6) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 33A (Ta), 90A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 1mA |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
供应商设备封装 | 8-PQFN (5X6), Power56 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 1.5 mOhm @ 33A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 2.5W |
标准包装 | 3,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 5118pF @ 13V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 81nC @ 10V |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
其他名称 | FDMS8558SCT |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | DC/DC Converter |
通道模式 | Enhancement |
渠道类型 | N |
配置 | Quad Drain, Triple Source |
外形尺寸 | 5.1 x 5.85 x 1.05mm |
身高 | 1.05mm |
长度 | 5.1mm |
最大连续漏极电流 | 90 A |
最大漏源电阻 | 2.1 mΩ |
最大漏源电压 | 25 V |
最大门源电压 | 12 V |
最高工作温度 | +150 °C |
最大功率耗散 | 78 W |
最低工作温度 | -55 °C |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装类型 | Power 56 |
引脚数 | 8 |
典型栅极电荷@ VGS | 81 nC @ 10 V |
典型输入电容@ VDS | 5118 pF @ 13 V |
典型关闭延迟时间 | 51 ns |
典型导通延迟时间 | 14 ns |
宽度 | 5.85mm |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 38 A |
系列 | FDMS8558S |
单位重量 | 0.003175 oz |
RDS(ON) | 1.5 mOhms |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | PQFN-8 |
漏源击穿电压 | 25 V |
RoHS | RoHS Compliant |
栅源电压(最大值) | 12 V |
功率耗散 | 2.5 W |
安装 | Surface Mount |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏源导通电压 | 25 V |
弧度硬化 | No |
安装类型 | 表面贴装 |
晶体管材料 | Si |
长度 | 5.1mm |
典型输入电容值@Vds | 5118 pF@ 13 V |
系列 | PowerTrench, SyncFET |
通道模式 | 增强 |
高度 | 1.05mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
最大漏源电阻值 | 2.1 mΩ |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +150 °C |
通道类型 | N |
最低工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 78 W |
最大栅源电压 | 12 V |
宽度 | 5.85mm |
尺寸 | 5.1 x 5.85 x 1.05mm |
最小栅阈值电压 | 1.1V |
最大漏源电压 | 25 V |
典型接通延迟时间 | 14 ns |
典型关断延迟时间 | 51 ns |
封装类型 | Power 56 |
最大连续漏极电流 | 90 A |
引脚数目 | 8 |
晶体管配置 | 单 |
典型栅极电荷@Vgs | 81 nC @ 10 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
商品名 | PowerTrench SyncFET |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 38 A |
通道数 | 2 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5 mOhms |
晶体管类型 | 2 N-Channel |
技术 | Si |
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